不止苹果!联发科投奔英特尔,1.4nm工艺却藏发热隐患
此前我们曾报道苹果计划与英特尔达成芯片供应协议,不止奔英在2027年或2028年,苹果让英特尔为非Pro版的科投慈溪市新闻网直播iPhone以及Mac和iPad产品线提供芯片代工服务,采用英特尔的工艺EMIB封装。
而根据最新的却藏爆料,英特尔又迎来一个大客户,发热那就是隐患联发科。

爆料称联发科将会采用英特尔14A打造天玑系列SoC,不止奔英不过外媒似乎有些担心英特尔14A先进制程的苹果慈溪市新闻网直播良率与功耗控制能否如期达标。
据了解,科投英特尔14A直接对标台积电14A工艺,工艺属于1.4nm级别。却藏英特尔14A工艺采用了第二代RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerDirect背面供电技术,发热相较于18A性能提升15%—20%,隐患功耗可以降低25%—35%。不止奔英
不过虽然PowerDirect背面供电技术让芯片能够提升晶体管密度,同时还可以带来更高、更稳定的频率,但是也有一个副作用,那就是会让芯片产生比较严重的自热效应。

如果这项技术是用于桌面处理器上,那么无可厚非。毕竟用户有各种主动散热方案可以解决发热的问题。但如果这项技术是用于手机SoC,那么手机有限的散热空间或将难以承载其发热负荷。
据了解,高通下一代旗舰芯片为了缓解散热问题,已经确定采用三星HPB散热技术。或许联发科也能够采用类似的技术来缓解芯片发热问题。

联发科虽然一直与台积电保持良好的合作关系,但台积电产能长期被英伟达、苹果等客户占据,而台积电产能越来越吃紧,联发科选择与英特尔合作,一定程度上可以缓解产能焦虑。
此外还有消息称英特尔EMIB封装成本较台积电CoWoS低30%—40%,也非常适合联发科芯片产品的市场定位。
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